Abstrak: Telah dideposisi lapisan tipis silikon amorf
terhidrogenasi (a-Si:H) dengan menggunakan teknik VHF-PECVD. Proses deposisi
dilakukan dengan variasi daya rf 6 sampai 12,5 watt pada tekanan ruang deposisi
300 mTorr serta variasi daya rf 20
sampai 70 watt pada tekanan ruang
deposisi 100 mTorr. Laju deposisi
dan fotokonduktivitas tertinggi, masing-masing 2,99 Å/det dan 1,13 x 10-4
S/cm, diperoleh pada daya rf 8 watt saat daya rf divariasi dari 6 sampai 12,5
watt. Laju deposisi tertinggi, 9,57 Å/det,
dan fotokonduktivitas tertinggi, 1,54 x
10-2 S/cm,
masing-masing diperoleh pada daya rf 40 dan 20 watt saat daya rf
divariasi dari 20 sampai 70 watt. Berdasarkan analisis yang dilakukan pada hasil-hasil
karakterisasi, penurunan
konduktivitas lapisan a-Si:H
diakibatkan oleh terbentuknya keadaan-keadaan cacat dalam lapisan seperti cacat
ekor pita dan cacat celah pita.
Kata kunci: VHF-PECVD, laju
deposisi, konduktivitas, keadaan cacat
Penulis: Usman, S. Amiruddin,
Mursal, Sukirno, T. Winata, dan M. Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd050004
Artikel Terkait :
