Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD

Abstrak: Film tipis TiO₂:Co telah ditumbuhkan di  atas subtrat  Si(100) dengan  metode MOCVD. Kandungan atom Co  di dalam film divariasikan dari 0,73% sampai 12,19%. Efek magnetisasi spontan dan karakteristik transpot listrik film diukur.  Dari  data pengukuran resistivitas Hall sebagai fungsi medan magnetik luar H, diamati adanya efek magnetisasi spontan. Terjadi suatu pertambahan resistivitas Hall yang tajam pada H < 1500 Oe pada semua film. Pertambahan  resistivitas Hall yang  paling tajam  ditunjukkan  oleh film dengan kandungan Co yang lebih tinggi. Resistivitas Hall bertambah dengan  bertambahnya kandungan Co.  Data hasil  pengukuran resistivitas sebagai fungsi temperatur  menunjukkan bahwa film bersifat semikonduktif.  Ada suatu pertambahan  resistivitas minimum pada film dengan bertambahnya kandungan Co di dalamnya. 

Kata kunci: MOCVD, resistivitas Hall, TiO₂:Co

Penulis: Horasdia Saragih, Pepen Arifin dan Mohamad Barmawi

Kode Jurnal: jpfisikadd050006

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2005

• Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
• Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
• Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
• Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
• Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
• Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
• Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
• Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
• Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
• Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
• Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
• Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
• Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
• Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
• Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
• Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya