Abstrak: Film tipis TiO2:Co
telah ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) dengan metode MOCVD. Kandungan atom Co di dalam film divariasikan dari 0,73% sampai
12,19%. Efek magnetisasi spontan dan karakteristik transpot listrik film diukur. Dari
data pengukuran resistivitas Hall sebagai fungsi medan magnetik luar H,
diamati adanya efek magnetisasi spontan. Terjadi suatu pertambahan resistivitas
Hall yang tajam pada H < 1500 Oe pada semua film. Pertambahan resistivitas Hall yang paling tajam
ditunjukkan oleh film dengan
kandungan Co yang lebih tinggi. Resistivitas Hall bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Data hasil
pengukuran resistivitas sebagai fungsi temperatur menunjukkan bahwa film bersifat
semikonduktif. Ada suatu
pertambahan resistivitas minimum pada
film dengan bertambahnya kandungan Co di dalamnya.
Kata kunci: MOCVD,
resistivitas Hall, TiO2:Co
Penulis: Horasdia Saragih, Pepen
Arifin dan Mohamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd050006
Artikel Terkait :
