Abstrak: Detektor ultraviolet
telah dibuat dari film tipis GaN dengan struktur fotokonduktor Al-GaN-Al. Dari
hasil karakterisasi I-V pada sampel fotokonduktor untuk kondisi penyinaran
diperoleh peningkatan konsentrasi elektron
4,6 × 1018 cm-3 dengan
fotokonduktivitas 59,9 Ω-1cm-1,
sedangkan pada kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,7 Ω-1cm-1, berarti terdapat
peningkatan konduktivitas pada sampel fotokonduktor sekitar 14,2 Ω-1 cm-1 akibat
penyinaran dengan energi foton 3,4 eV. Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh
resistansi kontak sekitar 0,26Ωcm2 dengan tinggi penghalang antara
aluminum dengan GaN adalah sekitar 0,44 eV pada kondisi gelap, sedangkan pada
kondisi penyinaran tinggi penghalang mengalami penurunan yaitu 0,43 eV.
Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak aluminum
memiliki karakteristik kontak ohmik pada semikonduktor GaN tipe-n. Hasil
pengukuran responsivitas pada sampel fotokonduktor, menunjukkan bahwa sampel
cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 345 nm sampai 365 nm
yang masih dalam rentang panjang gelombang ultraviolet. Sedangkan untuk panjang
gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus pada sampel mengalami penurunan
secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa sampel memiliki panjang gelombang
pancung (cutoff wavelength) λc sekitar 365 nm.
Kata kunci: Fotokonduktor,
GaN, Detektor ultraviolet
Penulis: Dadi Rusdiana
Kode Jurnal: jpfisikadd080003
Artikel Terkait :
