Fotokonduktor Al-GaN-Al untuk Aplikasi Detektor Ultraviolet

Edit
Abstrak: Detektor ultraviolet telah dibuat dari film tipis GaN dengan struktur fotokonduktor Al-GaN-Al. Dari hasil karakterisasi I-V pada sampel fotokonduktor untuk kondisi penyinaran diperoleh peningkatan konsentrasi elektron  4,6  × 1018 cm-3  dengan  fotokonduktivitas 59,9   Ω-1cm-1, sedangkan pada kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,7  Ω-1cm-1, berarti terdapat peningkatan konduktivitas pada sampel fotokonduktor sekitar 14,2  Ω-1 cm-1 akibat penyinaran dengan energi foton 3,4 eV. Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh resistansi kontak sekitar 0,26Ωcm2 dengan tinggi penghalang antara aluminum dengan GaN adalah sekitar 0,44 eV pada kondisi gelap, sedangkan pada kondisi penyinaran tinggi penghalang mengalami penurunan yaitu 0,43 eV. Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak aluminum memiliki karakteristik kontak ohmik pada semikonduktor GaN tipe-n. Hasil pengukuran responsivitas pada sampel fotokonduktor, menunjukkan bahwa sampel cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 345 nm sampai 365 nm yang masih dalam rentang panjang gelombang ultraviolet. Sedangkan untuk panjang gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus pada sampel mengalami penurunan secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa sampel memiliki panjang gelombang pancung (cutoff wavelength) λc sekitar 365 nm.
Kata kunci: Fotokonduktor, GaN, Detektor ultraviolet
Penulis: Dadi Rusdiana
Kode Jurnal: jpfisikadd080003

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2008