Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)

Abstrak: Film tipis galium arsenat (GaAs) telah  berhasil  ditumbuhkan dengan  metode  MOCVD (Metalorganic Chemical Vapour Deposition) di atas substrat semi insulator-galium arsenide (SI-GaAs) menggunakan sumber  metalorganik golongan V, trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) dan sumber golongan III, trimethylgallium (TMGa). Karakteristik film yang ditumbuhkan sangat bergantung pada temperatur penumbuhan. Kualitas kristal  paling baik terjadi pada film  yang ditumbuhkan pada  temperatur penumbuhan 580^oC, dengan  parameter  penumbuhan lainnya adalah sebagai berikut : rasio V/III sekitar 4,8, tekanan reaktor sekitar 50 torr, dan dilusi N₂ dan H² masing-masing sekitar 300 sccm. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa film GaAs yang ditumbuhkan  dengan temperatur penumbuhan 580^oC merupakan lapisan epitaksial dengan nilai FWHM puncak bidang (200) sekitar 0,477^o. Hasil pengukuran efek Hall pada  T=300K menunjukkan  bahwa film GaAs tersebut merupakan semikonduktor bertipe-p dengan nilai mobilitas Hall dan konsentasi pembawa muatan  berturut-turut sekitar 346 cm²/V.s dan 3.17 x 10¹⁷ cm^-3. Sedangkan  hasil  pengukuran fotoluminisensi (PL) menunjukkan  bahwa film  GaAs memiliki celah  pita energi  sekitar 1,42 eV, nilai ini sama dengan nilai celah pita energi bulk GaAs

Kata kunci: Film tipis GaAs, MOCVD, TDMAAs

Penulis: A. Suhandi, H. Sutanto, P. Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi

Kode Jurnal: jpfisikadd050003

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2005

• Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
• Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
• Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
• Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
• Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
• Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
• Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
• Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
• Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
• Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
• Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
• Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
• Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
• Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
• Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
• Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya