Abstrak: Film tipis galium
arsenat (GaAs) telah berhasil ditumbuhkan dengan metode
MOCVD (Metalorganic Chemical Vapour Deposition) di atas substrat semi
insulator-galium arsenide (SI-GaAs) menggunakan sumber metalorganik golongan V,
trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) dan sumber golongan III, trimethylgallium
(TMGa). Karakteristik film yang ditumbuhkan sangat bergantung pada temperatur
penumbuhan. Kualitas kristal paling baik
terjadi pada film yang ditumbuhkan
pada temperatur penumbuhan 580oC,
dengan parameter penumbuhan lainnya adalah sebagai berikut :
rasio V/III sekitar 4,8, tekanan reaktor sekitar 50 torr, dan dilusi N2
dan H2 masing-masing sekitar 300 sccm. Hasil karakterisasi XRD
menunjukkan bahwa film GaAs yang ditumbuhkan
dengan temperatur penumbuhan 580oC merupakan lapisan
epitaksial dengan nilai FWHM puncak bidang (200) sekitar 0,477o.
Hasil pengukuran efek Hall pada T=300K
menunjukkan bahwa film GaAs tersebut
merupakan semikonduktor bertipe-p dengan nilai mobilitas Hall dan konsentasi
pembawa muatan berturut-turut sekitar
346 cm2/V.s dan 3.17 x 1017 cm-3.
Sedangkan hasil pengukuran fotoluminisensi (PL)
menunjukkan bahwa film GaAs memiliki celah pita energi
sekitar 1,42 eV, nilai ini sama dengan nilai celah pita energi bulk GaAs
Kata kunci: Film tipis GaAs,
MOCVD, TDMAAs
Penulis: A. Suhandi, H. Sutanto,
P. Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd050003
Artikel Terkait :
