Abstrak: Film tipis galium
nitrida (GaN) telah ditumbuhkan di atas substrat Si(111) dengan metode PA-MOCVD
menggunakan sumber metalorganik golongan III, trimetilgalium (TMGa) dan radikal
nitrogen yang dihasilkan oleh plasma gas nitrogen. Proses penumbuhan dilakukan
pada temperatur 675°C dengan tekanan reaktor sekitar 0,4 torr, laju alir gas
nitrogen tetap sebesar 90 sccm dan laju alir TMGa bervariasi dari 0,08 – 0,12
sccm. Film polikristal GaN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dan
merupakan semikonduktor tipe-n. Peningkatan laju alir TMGa menyebabkan
peningkatan laju penumbuhan film tipis GaN yang terbentuk. Secara umum nilai
mobilitas Hall masih rendah akibat adanya pengotor O dan C. Nilai mobilitas
tertinggi yang diperoleh hanya sebesar
64,88 cm2/V.s dengan konsentrasi pembawa muatan (elektron)
sebesar 5,47 x 1018 cm-3.
Kata kunci: PA-MOCVD, TMGa,
Film tipis GaN, Struktur kristal, Mobilitas Hall
Penulis: Heri Sutanto, Agus Subagio,
Edy Supriyanto, Pepen Arifin, Sukirno, Maman Budiman, Moehamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd060003
Artikel Terkait :
