Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO2:Co/Si/TiO2:Co
Abstrak: Film tipis TiO2:Co
telah ditumbuhkan di atas substrat Si dengan teknik Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
menggunakan titanium(IV)isopropoksida
dan tris(2,2,6,6-tetrametil-3,5-heptanadionatokobalt(III), serta gas
oksigen. Film yang ditumbuhkan pada temperatur 450°C bersifat kristalin dengan
struktur rutil dan berorientasi (002). Berdasarkan hasil analisis Energy Dispersive Spectroscope (EDS), kandungan Co dalam film TiO2
adalah sebesar 1,83% dan film telah menunjukkan sifat feromagnetik pada
temperatur kamar. Kurva histeresis yang diperoleh melalui pengukuran Vibrating
Sample Magnetometer (VSM) memiliki nilai koersivitas magnetik dan saturasi
magnetik, masing-masing sebesar 130 Oe dan 2,1 emu/cm3. Aplikasi
film tipis TiO2:Co sebagai material injektor pada divais spintronika
berstruktur TiO2:Co/Si/TiO2:Co telah diteliti.
Berdasarkan karakteristik arus-tegangan, teramati adanya efek injeksi spin
terpolarisasi (fenomena magneto-resistansi).
Kata kunci: Magnetoresistansi,
Spintronika, Semikonduktor feromagnetik, TiO2:Co
Penulis: Edy Supriyanto,
Agus Subagio, Hery Sutanto, Horasdia
Saragih, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan Moehamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd070004