Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO2:Co/Si/TiO2:Co

Abstrak: Film tipis TiO2:Co telah ditumbuhkan di atas substrat Si dengan teknik  Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) menggunakan titanium(IV)isopropoksida  dan tris(2,2,6,6-tetrametil-3,5-heptanadionatokobalt(III), serta gas oksigen. Film yang ditumbuhkan pada temperatur 450°C bersifat kristalin dengan struktur rutil dan berorientasi (002). Berdasarkan hasil analisis  Energy Dispersive Spectroscope  (EDS), kandungan Co dalam film TiO2 adalah sebesar 1,83% dan film telah menunjukkan sifat feromagnetik pada temperatur kamar. Kurva histeresis yang diperoleh melalui pengukuran Vibrating Sample Magnetometer (VSM) memiliki nilai koersivitas magnetik dan saturasi magnetik, masing-masing sebesar 130 Oe dan 2,1 emu/cm3. Aplikasi film tipis TiO2:Co sebagai material injektor pada divais spintronika berstruktur TiO2:Co/Si/TiO2:Co telah diteliti. Berdasarkan karakteristik arus-tegangan, teramati adanya efek injeksi spin terpolarisasi (fenomena magneto-resistansi).
Kata kunci: Magnetoresistansi, Spintronika, Semikonduktor feromagnetik, TiO2:Co
Penulis: Edy Supriyanto, Agus  Subagio, Hery Sutanto, Horasdia Saragih,  Maman Budiman, Pepen Arifin,  Sukirno dan Moehamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd070004

Artikel Terkait :