Abstrak: Metode HWC PECVD (Hot Wire Cell Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan
lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi (µc-Si:H). Lapisan tipis
µc-Si:H ditumbuhkan di atas gelas
corning 7059 pada temperatur filamen 1000oC. Gas silan (SiH4) 10%
dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam
metode hot wire cell PECVD, gas reaktan
didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan di luar kedua
elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dari hasil karakterisasi
diperoleh bahwa laju deposisi meningkat dari 1,45 Å/s sampai 1,56 Å/s dengan
meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 1100 mTorr. Dari hasil foto
SEM dan spektrum XRD memperlihatkan adanya
transisi amorf ke mikrokristal pada tekanan deposisi 1000 mTorr.
Transisi amorf ke mikrokristal ditandai dengan berkurangnya fasa amorf dan adanya
puncak difraksi pada orientasi kristal istimewa <111>. Konduktivitas
gelap dan terang lapisan tipis µc-Si:H yang
diperoleh sebesar 1,27 x 10-5 S cm-1 dan 2,12 x 10-3
S cm-1.
Kata Kunci: HWC PECVD;
Konduktivitas; µc-Si:H; dan Orientasi Kristal
Penulis: Amiruddin Supu, I
Wayan Sukarjita1, Fakhruddin, Suryani Arsyad Fitri, Toto Winata, dan Sukirno
Kode Jurnal: jpfisikadd080002
Artikel Terkait :
