Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD

Edit
Abstrak: Metode  HWC PECVD (Hot Wire Cell Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi (µc-Si:H). Lapisan tipis µc-Si:H  ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 1000oC. Gas silan (SiH4) 10% dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode  hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan di luar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa laju deposisi meningkat dari 1,45 Å/s sampai 1,56 Å/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mTorr sampai 1100 mTorr. Dari hasil foto SEM dan spektrum XRD memperlihatkan adanya  transisi amorf ke mikrokristal pada tekanan deposisi 1000 mTorr. Transisi amorf ke mikrokristal ditandai dengan berkurangnya fasa amorf dan adanya puncak difraksi pada orientasi kristal istimewa <111>. Konduktivitas gelap dan terang lapisan tipis  µc-Si:H yang diperoleh sebesar 1,27 x 10-5 S cm-1 dan 2,12 x 10-3 S cm-1. 
Kata Kunci: HWC PECVD; Konduktivitas; µc-Si:H; dan Orientasi Kristal
Penulis: Amiruddin Supu, I Wayan Sukarjita1, Fakhruddin, Suryani Arsyad Fitri, Toto Winata, dan Sukirno
Kode Jurnal: jpfisikadd080002

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2008