Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD

Abstrak: Metode Hot Wire Cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis polykristal silikon (poly-Si).  Lapisan tipis poly-Si ditumbuhkan di atas  gelas corning 7059 pada temperatur filamen 1800^oC. Gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H₂) digunakan sebagai sumber gas. Dalam  metode hot wire cell PECVD,  gas reaktan  didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan di  atas  substrat dan paralel  dengan  system gas  masukan. Dari hasil  karakterisasi diperoleh bahwa lapisan tipis  poly-Si dapat ditumbuhkan  pada tekanan 200-500  mTorr  dengan temperatur substrat 275^oC. Hasil analisis XRD menunjukkan bahwa intensitas istimewa  diperoleh pada orientasi kristal <220>. Nilai tertinggi dari Intensitas puncak (111 cps), ukuran butir (minor aksis 0,5 µm) dan konduktivitas gelap (0,60x10^-5 Scm^-1) diperoleh pada tekanan deposisi 300 mTorr dengan laju deposisi 2,2 nm/s.

Kata Kunci: Hot Wire Cell PECVD, Konduktivitas, Poly-Si, dan Ukuran Butir

Penulis: S. Amiruddin, I. Usman, Mursal, T. Winata, dan Sukirno

Kode Jurnal: jpfisikadd050005

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2005

• Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
• Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
• Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
• Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
• Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
• Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
• Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
• Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
• Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
• Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
• Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
• Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
• Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
• Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
• Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
• Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya