Abstrak: Metode Hot Wire Cell
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) telah berhasil dikembangkan
untuk menumbuhkan lapisan tipis polykristal silikon (poly-Si). Lapisan tipis poly-Si ditumbuhkan di
atas gelas corning 7059 pada temperatur
filamen 1800oC. Gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2)
digunakan sebagai sumber gas. Dalam
metode hot wire cell PECVD, gas
reaktan didekomposisi dengan filamen
tungsten panas yang diletakkan di
atas substrat dan paralel dengan
system gas masukan. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa lapisan
tipis poly-Si dapat ditumbuhkan pada tekanan 200-500 mTorr dengan temperatur substrat 275oC.
Hasil analisis XRD menunjukkan bahwa intensitas istimewa diperoleh pada orientasi kristal <220>.
Nilai tertinggi dari Intensitas puncak (111 cps), ukuran butir (minor aksis 0,5
µm) dan konduktivitas gelap (0,60x10-5 Scm-1) diperoleh pada
tekanan deposisi 300 mTorr dengan laju deposisi 2,2 nm/s.
Kata Kunci: Hot Wire Cell
PECVD, Konduktivitas, Poly-Si, dan Ukuran Butir
Penulis: S. Amiruddin, I.
Usman, Mursal, T. Winata, dan Sukirno
Kode Jurnal: jpfisikadd050005
Artikel Terkait :
