Pengaruh Temperatur Deposisi Lapisan Penyangga Aluminium Nitrida terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis GaN dengan Metoda DC Unbalanced Magnetron Sputtering

Abstrak: Telah ditumbuhkan film tipis galium nitrida di atas substrat sapphire (0001) yang menggunakan lapisan penyangga aluminium nitrida dengan metode  DC unbalanced magnetron sputtering. Optimasi  parameter penumbuhan yang dipelajari adalah variasi temperatur penumbuhan lapisan penyangga, yaitu antara 450°C sampai 700°C. Dari hasil karakterisasi XRD (X-Ray Difraction) pada film tipis GaN dengan lapisan penyangga AlN yang ditumbuhkan pada temperatur 450 °C, diperoleh film tipis GaN dengan struktur wurzite (1011)  dan (1120) dengan  nilai FWHM berturut-turut 0,3° dan 0,6°.

Kata kunci: Lapisan penyangga, Galium nitrida, Aluminium nitrida, Sputtering

Penulis: Dadi Rusdiana

Kode Jurnal: jpfisikadd060001

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2006

• Model Sheath Dinamis Tanpa Tumbukan Plasma Multispesies dengan Memperhitungkan Keadaan Muatan Ganda dan Tegangan Realistis
• Penerapan Model Vorteks Gelas Termodifikasi pada Kristal Tunggal Superkonduktor Bi2Sr2CaCu2O8+δ
• Studi Spektral Inframerah pada Ferit Spinel Nanokristal MFe2O4 (M = Ni, Mn dan Zn)
• Tegangan Sisa pada Bahan Model Fotoelastis Epoxi Resin karena Perlakuan Termal
• Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb
• Matriks Massa Neutrino Berat dari Model Seesaw
• Fabrikasi Dan Karakterisasi Directional Coupler Sebagai Devais Pembagi Daya
• Analisis Directional Coupler Sebagai Pembagi Daya untuk Mode TE
• Identifikasi Struktur Sesar Bawah Permukaan dengan menggunakan Konfigurasi Half-Schlumberger (Head-On) pada Eksplorasi Panasbumi daerah Mataloko
• Analisis Data Magnetisasi Remanen Isotermal dengan Software IRMUNMIX
• Aplikasi Pengolahan Citra Elektrokardiograf dan Jaringan Syaraf Tiruan untuk Identifikasi Penyakit Jantung Koroner
• Model Sheath Dinamis Tanpa Tumbukan Plasma Multispesies Bermuatan Tunggal untuk Studi Aplikasi Proses PIII
• Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: II. Studi Kristalinitas dan Struktur Molekul
• Disain Peredam Suara Berbahan Dasar Sabut Kelapa dan Pengukuran Koefisien Penyerapan Bunyinya
• PENGARUH POLARITAS MEDAN LISTRIK EKSTERNAL DAN SUDUT POLARISASI LASER DIODA UNTUK PENGAMATAN EFEK KERR
• PEMODELAN TOMOGRAFI CROSS-HOLE METODE GEOLISTRIK RESISTIVITAS (Bentuk Anomali Silindris)
• Penentuan Dosis Gamma Pada Fasilitas Iradiasi Reaktor Kartini Setelah Shut Down
• Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
• KAJIAN AWAL SIFAT OPTIS TAKLINIER BAHAN TRANSPARAN DALAM MEDAN LISTRIK STATIS
• UJI HASIL KINERJA MESIN PENGOLAH FILM OTOMATIS MINI MEDICAL
• STUDI SIFAT ELEKTROOPTIS PADA KACA AKUARIUM, KACA PREPARAT, DAN AKRILIK
• LINIERISASI KELUARAN PENCATU DAYA MENGGUNAKAN KOMPUTER
• PENENTUAN KONSENTRASI AKTIVITAS URANIUM DARI INDUSTRI FOSFAT MENGGUNAKAN DETEKTOR ZnS(Ag)
• Penghitungan Rasio Intensitas Ca (II) 396,8 nm dan Ca (I) 422,6 nm pada Sampel Tasbih Asli dan Imitasi menggunakan Metode Laser Induced Shock wave plasma (LISPS)
• PEMANFAATAN TEMPURUNG KELAPA SEBAGAI BAHAN BAKU ARANG AKTIF DAN APLIKASINYA UNTUK PENJERNIHAN AIR SUMUR DI DESA BELOR KECAMATAN NGARINGAN KABUPATEN GROBOGAN