Abstrak: Telah ditumbuhkan
film tipis galium nitrida di atas substrat sapphire (0001) yang menggunakan
lapisan penyangga aluminium nitrida dengan metode DC unbalanced magnetron sputtering.
Optimasi parameter penumbuhan yang dipelajari
adalah variasi temperatur penumbuhan lapisan penyangga, yaitu antara 450°C
sampai 700°C. Dari hasil karakterisasi XRD (X-Ray Difraction) pada film tipis
GaN dengan lapisan penyangga AlN yang ditumbuhkan pada temperatur 450 °C,
diperoleh film tipis GaN dengan struktur wurzite (1011) dan (1120) dengan nilai FWHM berturut-turut 0,3° dan 0,6°.
Kata kunci: Lapisan penyangga,
Galium nitrida, Aluminium nitrida, Sputtering
Penulis: Dadi Rusdiana
Kode Jurnal: jpfisikadd060001
Artikel Terkait :
