Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO2:Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD

Edit
Abstrak: Film tipis TiO2:Eu telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Si(100) tipe-n dengan metode  Metalorganic Chemical  Vapor Deposition (MOCVD) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium(IV)isopropoksida [Ti{OCH(CH3)2}4] 99,99% dan europium nitrat [Eu(NO3)3.6H2O] 99.99%. Tetrahidrofuran (THF) digunakan sebagai pelarut bahan prekursor. Hasil analisis X-ray Diffraction ( XRD) menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan pada  450οC memiliki bidang kristal rutil (200), rutil (002) dan anatase (211). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 500οC  memiliki bidang kristal fasa tunggal rutil (002) dengan bentuk butiran kolumnar dan morfologi permukaan film relatif halus, sedangkan pada temperatur penumbuhan 550οC dihasilkan  film dengan bidang kristal rutil (200) dan rutil (002). Morfologi permukaan film tipis TiO2:Eu dipengaruhi oleh besarnya kandungan atom Eu. Bertambahnya kandungan Eu akan menghasilkan morfologi permukaan film yang kasar dan butiran film menjadi lebih besar. Dapat disimpulkan bahwa struktur kristal dan morfologi permukaan film dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan. 
Kata kunci: Butiran, Struktur kristal dan morfologi TiO2:Eu, MOCVD
Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO2:Eu  yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD 
Penulis: Edy Supriyanto, Goib Wiranto, Heri Sutanto, Agus Subagio,  Mikrajuddin Abdullah, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan Moehamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd070002

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2007