Abstrak: Film tipis TiO2:Eu
telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Si(100) tipe-n dengan metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) dengan menggunakan
prekursor metalorganik titanium(IV)isopropoksida [Ti{OCH(CH3)2}4]
99,99% dan europium nitrat [Eu(NO3)3.6H2O]
99.99%. Tetrahidrofuran (THF) digunakan sebagai pelarut bahan prekursor. Hasil
analisis X-ray Diffraction ( XRD) menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan
pada 450οC memiliki bidang
kristal rutil (200), rutil (002) dan anatase (211). Film yang ditumbuhkan pada
temperatur 500οC memiliki
bidang kristal fasa tunggal rutil (002) dengan bentuk butiran kolumnar dan
morfologi permukaan film relatif halus, sedangkan pada temperatur penumbuhan
550οC dihasilkan film dengan
bidang kristal rutil (200) dan rutil (002). Morfologi permukaan film tipis TiO2:Eu
dipengaruhi oleh besarnya kandungan atom Eu. Bertambahnya kandungan Eu akan
menghasilkan morfologi permukaan film yang kasar dan butiran film menjadi lebih
besar. Dapat disimpulkan bahwa struktur kristal dan morfologi permukaan film
dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan.
Kata kunci: Butiran, Struktur
kristal dan morfologi TiO2:Eu, MOCVD
Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi
Film Tipis TiO2:Eu yang Ditumbuhkan
dengan Metode MOCVD
Penulis: Edy Supriyanto, Goib
Wiranto, Heri Sutanto, Agus Subagio, Mikrajuddin
Abdullah, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan Moehamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd070002
Artikel Terkait :
