Abstrak: Film tipis strontium
titanate (SrTiO3) telah berhasil dideposisi di atas substrat silikon menggunakan teknik
pulsed-laser ablation deposition (PLAD). Temperatur optimum adalah 600oC.
Sifat listrik diukur menggunakan struktur kapasitor metal-oksida-semikonduktor
(MOS). Film tipis menunjukkan sifat insulator yang baik pada temperatur ruang.
Rapat muatan tetap dan rapat arus bocor juga dihitung. Hasil pengukuran film
tipis menunjukkan bahwa film tipis SrTiO3 dapat diaplikasikan
sebagai gerbang dielektrik alternatif.
Kata kunci: Arus bocor,
Metal-oksida–semikonduktor (MOS),
pulsed-laser ablation deposition (PLAD),
rapat muatan tetap, SrTiO3
Penulis: Darsikin,
Khairurrijal, Sukirno, and M. Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd050002
Artikel Terkait :
