Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS

Abstrak: Film tipis strontium titanate (SrTiO₃) telah berhasil dideposisi di atas  substrat silikon menggunakan teknik pulsed-laser ablation deposition (PLAD). Temperatur optimum adalah 600^oC. Sifat listrik diukur menggunakan struktur kapasitor metal-oksida-semikonduktor (MOS). Film tipis menunjukkan sifat insulator yang baik pada temperatur ruang. Rapat muatan tetap dan rapat arus bocor juga dihitung. Hasil pengukuran film tipis menunjukkan bahwa film tipis SrTiO₃ dapat diaplikasikan sebagai gerbang dielektrik alternatif.

Kata kunci: Arus bocor, Metal-oksida–semikonduktor (MOS),  pulsed-laser ablation deposition (PLAD),  rapat muatan tetap, SrTiO₃

Penulis: Darsikin, Khairurrijal, Sukirno, and M. Barmawi

Kode Jurnal: jpfisikadd050002

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2005

• Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
• Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
• Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
• Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
• Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
• Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
• Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
• Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
• Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
• Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
• Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
• Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
• Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
• Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
• Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
• Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya