Abstrak: Lapisan tipis In2O3
telah ditumbuhkan di atas substrat gelas dengan metode MOCVD menggunakan
prekursor metal organic In(TMHD)3. Parameter penumbuhan yang
digunakan adalah: temperatur bubbler untuk menguapkan In(TMHD)3 200oC,
tekanan bubbler 260 Torr, temperatur
substrat 300oC, laju alir gas Ar 50 sccm, laju alir gas O2
50 sccm, tekanan total penumbuhan 2x10-3 Torr, dan waktu penumbuhan
120-180 menit. Tiga jenis lapisan tipis In2O3 dihasilkan yang dibedakan oleh
ketebalannya, yaitu 531, 434, dan 404 nm. Sifat optik lapisan diinvestigasi dengan
menggunakan alat Spectrophotometry UV-Vis. Diperoleh bahwa transmitansi ketiga
lapisan pada rentang panjang gelombang sinar tampak rata-rata di atas 80%.
Perbedaan ketebalan lapisan sekitar 127 nm tidak mempengaruhi secara signifikan
karakteristik transmisi optiknya. Lebar celah pita energi ketiga lapisan In2O3
terentang dari 3,76-3,80 eV. Sementara lebar pita energi Urbach-nya terentang
dari 0,20-0,22 eV. Ketiga lapisan tipis In2O3 yang tumbuh
memiliki karakteristik transisi tidak langsung ke pita terlarang.
Kata kunci: Sifat optik;
Lapisan tipis; In2O3; Metal organic; In(TMHD)3;
MOCVD
Penulis: Horasdia Saragih,
Hasniah Aliah, Euis Sustini, Albinur Limbong, dan Albert Manggading Hutapea
Kode Jurnal: jpkimiadd100001
Artikel Terkait :
