Abstrak: Telah dilakukan studi
tentang kebergantungan distribusi
Sb dalam lapisan GaAs1-xSbx dan sifat
kelistrikan lapisan GaAs1-xSbx yang ditumbuhkan dengan
teknik MOCVD menggunakan sumber metalorganik TMGa, TDMAAs dan TDMASb terhadap
rasio masukan sumber V/III. Komposisi Sb dalam lapisan GaAs1-xSbx
ditentukan dengan menggunakan aturan Vegard, berdasarkan pergeseran puncak
intensitas difraksi sinar-X. Karakteristik kelistrikan lapisan GaAs1-xSbx
diinvestigasi melalui pengukuran efek Hall Van der Pauw pada temperatur ruang.
Hasil investigasi menunjukkan bahwa komposisi
unsur Sb yang terinkorporasi dalam film GaAs1-xSbx
sangat ditentukan oleh rasio masukan sumber V/III yang digunakan. Untuk
penggunaan rasio masukan sumber V/III yang hampir satu, ternyata nilai koefisien
distribusi Sb yang merupakan rasio komposisi Sb dalam lapisan GaAs1-xSbx
terhadap fraksi masukan uap sumber Sb juga mendekati satu. Koefisien
distribusi Sb menurun terhadap kenaikan rasio masukan sumber V/III
untuk rasio masukan V/III lebih besar dari pada 1. Rentang nilai mobilitas
pembawa muatan berkisar antara 200–430 cm2/V.s bergantung pada rasio
masukan sumber V/III dan komposisi Sb. Nilai mobilitas pembawa muatan paling
tinggi terjadi pada penggunaan rasio masukan sumber V/III mendekati satu.
Kata kunci: GaAs1-xSbx, MOCVD,
Rasio masukan sumber V/III, Komposisi Sb, Karakteristik kelistrikan
Penulis: Andi Suhandi, Pepen
Arifin, Maman Budiman, dan Moehamad Barmawi
Kode Jurnal: jpfisikadd070003
Artikel Terkait :
