Abstrak: Penumbuhan lapisan tipis
In2O3 di atas substrat quarzt telah dilakukan dengan teknik MOCVD. Prekursor
metal organic yang digunakan adalah In(TMHD)3. Sifat termal bahan In(TMHD)3
telah diinvestigasi melalui analisis kurva TG-DTA dan analisis spektrum FTIR.
Dari hasil analisis kurva TG-DTA dan
spektrum FTIR didapatkan bahwa: (1) serbuk In(TMHD)3 meleleh pada temperatur
175 °C; (2) In(TMHD)3 mulai menguap pada temperatur 184 °C; (3)
In(TMHD)3 mengalami oksidasi parsial di lingkungan Ar/atmosfer pada temperatur
260 °C; (4) disosiasi ligan TMHD dari elemen metal In secara sempurna terjadi
pada temperatur 300oC sampai 400°C. Mengacu kepada hasil-hasil
tersebut, maka parameter penumbuhan ditetapkan sebagai berikut: temperatur
bubbler In(TMHD)3 (Tb) = 200°C; tekanan di dalam bubbler (Pb) = 260
Torr; laju aliran gas Ar untuk membawa uap In(TMHD)3 = 50 sccm; laju aliran gas
O2 = 50 sccm; dan temperatur substrat = 300°C. Dengan menggunakan interval
waktu penumbuhan selama 120 menit, lapisan tipis In2O3
tumbuh dengan ketebalan sekitar 0,2 µm. Laju penumbuhan diperoleh sekitar
1,6x10-3 µm/menit dan tingkat kekasaran permukaan lapisan sekitar 70
nm.
Kata kunci: In2O3,
Lapisan tipis, Sifat termal, MOCVD
Penulis: Horasdia Saragih,
Albinur Limbong, Albert Manggading Hutapea, Hasniah Aliah, dan Euis Sustini
Kode Jurnal: jpkimiadd090003
Artikel Terkait :
