PENINGKATAN KUALITAS FILM TIPIS CDTE SEBAGAI ABSORBER SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN DOPING TEMBAGA (CU)
ABSTRACT: Film tipis CdTe
dengan doping tembaga (Cu) berkonsenterasi 2% telah berhasil ditumbuhkan di
atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dengan metode dc magnetron sputtering.
Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh doping Cu(2%) terhadap
struktur morfologi, struktur kristal, fotoluminisensi dan resistivitas listrik
film CdTe. Citra morfologi Scanning Electron Microscopy (SEM) dan hasil
analisis struktur dengan X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film
CdTe:Cu(2%) mempunyai citra permukaan dan struktur kristal yang lebih sempurna
dibandingkan film CdTe tanpa doping. Hasil analisis spektrometer
fotoluminisensi menunjukkan bahwa film CdTe dan CdTe(2%) mempunyai puncak
fotoluminisensi pada tiga panjang gelombang yang identik yaitu 685 nm (1,81
eV), 725 nm (1,71 eV) dan 740 nm (1,67 eV). Film CdTe dengan doping Cu(2%)
memiliki intensitas puncak fotoluminisensi yang lebih tajam pada pita energi
1,81 eV dibandingkan dengan film CdTe tanpa doping. Pengukuran arus dan
tegangan (I-V) menunjukkan bahwa pemberian doping Cu(2%) dapat menurunkan
resistivitas film dari 8,40x109 Ωcm menjadi 6,92x105 Ωcm. Sebagai absorber
sel surya, kualitas film tipis CdTe telah berhasil ditingkatkan dengan
pemberian doping Cu(2%).
KEYWORDS: Cu doping; CdTe;
morphological structure; crystal structure; photoluminescence; resistivity
Penulis: P. Marwoto, N.M.
Darmaputra, Sugianto, Z. Othaman, E. Wibowo, S.Y. Astuti
Kode Jurnal: jppendidikandd120104
