Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
Abstrak: Defisit neutrino
dijelaskan melalui osilasi neutrino dua dan tiga generasi. Matrik bauran
diambil riel. Datadata neutrino solar dan neutrino atmosferik memperlihatkan
adanya hirarki kuat dan dapat dijelaskan oleh osilasi tiga neutrino. Data LSND
dengan orde hirarki yang lain tidak tercakup dalam penjelasan osilasi tiga
neutrino.
Penulis: Agus Purwanto
Kode Jurnal: jpfisikadd050007
Artikel Terkait :
Jp Fisika dd 2005
- Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
- Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
- Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
- Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
- Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
- Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
- Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
- Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
- Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
- Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
- Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
- Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
- Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
- Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
- Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
- Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya