Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
Abstrak: Parameter terpenting
untuk menentukan panjang kopling dan formula propagasi medan directional
coupler adalah nilai tetapan propagasi efektif medan moda simetri dan moda
asimetri. Pada makalah ini dilaporkan formulasi tetapan propagasi efektif
dimaksud untuk cahaya modus TE (transverse electric) yang terpandu dalam
directional coupler linier dalam bentuk analitis. Formulasi analitis diturunkan
dengan menggunakan metode matrik karakteristik pandu gelombang berlapis jamak,
dan berlaku untuk kedua moda simetri dan asimetri, baik untuk struktur
directional coupler simetri maupun asimetri.
Kata Kunci: directional
coupler linier, perpindahan daya, transverse electric, moda terkopel, moda-moda
normal, medan evanescent
Penulis: Ali Yunus Rohedi,
Gatut Yudoyono, Suryadi,dan Agus Rubiyanto
Kode Jurnal: jpfisikadd050014
Artikel Terkait :
Jp Fisika dd 2005
- Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
- Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
- Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
- Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
- Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
- Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
- Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
- Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
- Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
- Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
- Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
- Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
- Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
- Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
- Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
- Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya