Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
Abstrak: Mekanisme seesaw
membangkitkan massa kecil neutrino dengan memperkenalkan neutrino kanan singlet
bermassa sangat massif di dalam model standar dan massa kecil neutrino muncul
sebagai massa efektif. Di dalam teori dimensi ruang-waktu ekstra Kaluza-Klein, neutrino
dengan massa massif bagi mekanisme seesaw diperoleh secara alamiah yakni dari
moda Kaluza-Klein.
Penulis: Agus Purwanto
Kode Jurnal: jpfisikadd050011
Artikel Terkait :
Jp Fisika dd 2005
- Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
- Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
- Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
- Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
- Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
- Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
- Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
- Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
- Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
- Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
- Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
- Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
- Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
- Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
- Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
- Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya