Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder

Abstrak: Telah dilakukan perhitungan retardasi retarder melalui pengukuran rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran. Pada penelitian ini digunakan keping seperempat gelombang sebagai retarder uji. Set-up peralatan menggunakan konstruksi polariskop lingkaran dengan keping gelombang pertama sebagai retarder uji. Perhitungan retardasi retarder berdasar pada vektor Stoke dan matriks Muller dari komponen optis yang digunakan. Retarder uji diputar untuk mendapatkan variasi retardasi retarder sebagai fungsi sudut datang. Hasil eksperimen menunjukkan bahwa retardasi retarder uji besarnya berubah terhadap sudut datang dan dapat difungsikan sebagai keping seperempat gelombang bila sudut datang berkas cahaya tidak lebih dari 20°.

Kata Kunci: Keping seperempat gelombang, Retardasi retarder, Rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran, Polariskop lingkaran

Penulis: Gatut Yudoyono dan Ali Yunus Rohedi

Kode Jurnal: jpfisikadd050015

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2005

• Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
• Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
• Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
• Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
• Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
• Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
• Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
• Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
• Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
• Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
• Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
• Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
• Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
• Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
• Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
• Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya