Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb
Abstrak: Dalam tulisan ini
film tipis semikonduktor GaSb telah ditumbuhkan dengan metoda MOCVD vertikal
pada tekanan 50 torr di atas subtsrat SI GaAs(100). Film mempunyai type p
dengan permukaan yang cukup homogen serta orientasi film didominasi (200). Film
yang ditumbuhkan pada temperatur 520 oC dengan rasio V/III=1 mempunyai
mobilitas 68,57 cm2/Vs dan konsentrasi 1,9 x 1018 cm-3. Metal Semikonduktor
Metal (MSM) Al-pGaSb telah dibuat menggunakan dua metoda, yaitu metoda
sederhana evaporasi dengan luas kontak 0,02 cm2 dan metoda UV litografi dengan
luas kontak 0,009 cm2. MSM bersifat ohmik kontak dengan resistansi spesifik Rc
menurun terhadap luas kontak yang digunakan.
Penulis: Euis Sustini, Hery
Saeful Azis, Heri Sutanto, dan Agus Subagyo
Kode Jurnal: jpfisikadd060040
