PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS NiCoFe/Si SEBAGAI MATERIAL PEMBUATAN SENSOR GIANT MAGNETORESISTANCE (GMR)

ABSTRAK: Pada paper ini akan dilaporkan optimasi waktu penumbuhan lapisan tipis (thin film) NiCoFe/Si `sebagai material sensor berbasis Giant Magnetoresistance (GMR) menggunakan Reaktor dc-Opposed Target Magnetron Sputttering (OTMS). Material GMR mempunyai sifat-sifat magnetik dan elektrik yang sangat baik sehingga sangat berpotensi untuk dikembangkan menjadi devais pengindera (sensor) medan magnet generasi mendatang (next generation magnetic field sensing devices), seperti: sensor magnetik medan lemah, sensor  arus, sensor posisi linier & rotasi, penyimpanan data (data storage), non-volatile magnetic random access  memory (MRAM), heads recording  dan spin valve transistor.  Sifat magnetik dan listrik GMR selain ditentukan  oleh jenis material yang digunakan juga sangat ditentukan oleh ketebalan lapisan struktur penyusunnya. Dari hasil pengukuran sampel menggunakan Scanning Electron Microscope  (SEM) untuk waktu deposisi selama  30, 60 dan 90 menit diperoleh ketebalan sampel berturut-turut adalah 0.30µm, 0.45µm dan 0.52µm.
Kata Kunci: Lapisan Tipis NiCoFe/Si, Sensor  Giant Magnetoresistance
Penulis: Mitra Djamal, Yulkifli
Kode Jurnal: jpfisikadd090006

Artikel Terkait :

Jp Fisika dd 2009