Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan
Abstrak: Penelitian mengenai
penumbuhan silikon nanowire (SiNW) telah dilakukan dengan mengunakan metode Plasma
Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). Katalis yang digunakan yaitu logam
perak (Ag). Penggunaan nano katalis perak dalam penelitian ini dibatasi seberat
0,025 gram. Nanokatalis perak tersebut dideposisi pada substrat gelas dengan
cara evaporasi dalam keadaan vakum untuk membentuk lapisan tipis Ag pada
substrat. Hasil penumbuhan nanokatalis dilakukan karakterisasi SEM dan EDX
dengan hasil logam perak yang di-annealing selama satu jam menghasilkan
pulau-pulau Ag berukuran dominan 70-80 nm. Ag yang di-annealing selama satu jam
kemudian digunakan untuk penumbuhan silikon nanowire. Sebagai gas carier digunakan
gas silant SiH4 dengan precursor silikon dengan kecepatan alir 70 sccm dan daya
rf 8 watt. Variasi optimasi dilakukan pada parameter tekanan 100, 200, 300 dan
400 mTorr. SEM dan EDX dilakukan untuk mengkarakterisasi silikon nanowire. Dari
hasil SEM dan EDX, tekanan deposisi 100 mTorr dapat menghasilkan silikon
nanowire dengan rasio penumbuhan yang tinggi. Diameter silikon nanowire
diperoleh 70-120 nm dan panjang silikon nanowire 200-5000 nm.
Penulis: Diky Anggoro dan Toto
Winata
Kode Jurnal: jpfisikadd140130
