Variasi tekanan dalam proses metalurgi serbuk dan pengaruhnya pada modulus elastisitas bahan komposit Al-SiC
Abstrak: Preparasi bahan
komposit bermatriks logam Al dengan penguat SiC telah dilakukan dengan
menerapkan gaya kompaksi sebesar 15, 20 dan 25 kN dalam proses metalurgi
serbuk. Kompaksi dengan tekanan yang lebih besar daripada kekuatan luluh Al
menyebabkan penurunan kualitas ikatan permukaan, sebagai akibat terjebaknya gas
dan bahan pelumas yang digunakan dalam proses fabrikasi. Kualitas terbaik dari
ikatan antar permukaan antara bahan matriks dan penguat dicapai oleh sampel
yang disiapkan dengan gaya kompresi sebesar 15 kN, dengan nilai modulus Young
yang terletak di antara batas upper dan lower bound. Analisis selanjutnya
dengan model partikel penguat menggunakan geometri tabung dan kubus untuk
komposit isotropik dapat memprediksi nilai modulus elastisitasnya yang sesuai
dengan hasil eksperimen.
Penulis: Mochamad Zainuri, Yoni
Moniada, dan Darminto
Kode Jurnal: jpfisikadd050009

Artikel Terkait :
Jp Fisika dd 2005
- Aplikasi Pengolahan Citra dan Jaringan Syaraf Tiruan Untuk Pengenalan Pola Tulisan Tangan
- Ketebalan Kulit Bumi dan Struktur Kecepatan Antara Hiposenter Gempa M012601A dan Stasiun AAK
- Metode rasio sisa cahaya terpolarisasi lingkaran untuk menentukan fase retarder
- Formulasi Analitis Tetapan Propagasi Efektif Modus TE untuk Directional Coupler Linier Diturunkan dengan Metode Matrik Karakteristik Lapis Jamak
- Pengaruh Anti Oksidan Terhadap Kestabilan Sifat Fisis Bahan Polipaduan Polipropilena-Karet Alam: I. Studi Morfologi dan Sifat Mekanik
- Pengaruh Suhu Konversi Termal pada kualitas film tipis PPV
- Mekanisme Seesaw dalam Ruang dengan Dimensi Ekstra
- Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
- Kompaktifikasi Teori String Heterotik pada Manifold Calabi-Yau
- Analisa dan Teka-teki Tiga Generasi Neutrino Massif
- Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO2:Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
- Optimasi Parameter Tekanan Deposisi pada Penumbuhan Lapisan Tipis Polykristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
- Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
- Karakteristik Film Tipis GaAs yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Menggunakan Sumber Metalorganik TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
- Sifat Listrik Film Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS
- Penumbuhan Lapisan Tipis µc-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya