DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ABSTRAK: Telah dilakukan
deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-P pada
substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC
sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi
lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi. Untuk
mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi
parameter sputtering yaitu waktu deposisi 30; 60; 90 dan 120 menit,
tekanan gas 1,1 × 10-1; 1,2 × 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 × 10-1 Torr, yang lain
dibuat tetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi
digunakan probe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai
resistansi terendah R = 5,14 kΩ, pada kondisi waktu deposisi 60 menit, tekanan
gas 1,3 × 10-1
Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV
dan arus 40 mA, kemudian tipe konduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada
bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhan kristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk
penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan
struktur mikro dengan SEM diperoleh
butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyai ketebalan lapisan 1,0 µm dan
lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 µm.
Penulis: Wirjoadi, Yunanto, Bambang
Siswanto
Kode Jurnal: jpkimiadd070120
