DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS

Edit
ABSTRAK: Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-P pada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering.  Penelitian ini  bertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi. Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktu deposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan  gas 1,1 × 10-1; 1,2 ×  10-1; 1,3x10-1dan 1,4 × 10-1 Torr, yang lain dibuat tetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA.  Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakan  probe empat titik,  Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kΩ, pada kondisi waktu deposisi 60 menit, tekanan gas 1,3  ×  10-1  Torr, suhu 200  oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipe konduksinya adalah tipe-N.  Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhan kristal CuInSe2, dan  pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS.  Hasil pengamatan struktur  mikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2  mempunyai ketebalan lapisan 1,0 µm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 µm.
Penulis: Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto
Kode Jurnal: jpkimiadd070120

Artikel Terkait :

Jp Kimia dd 2007