Alat Deteksi Gas Buang Kendaraan Bermotor Berstruktur Transistor Efek Medan
Abstract: Fabrikasi alat
deteksi berstruktur FET menggunakan metode vakum evaporasi (VE), sedangkan
proses perencanaan dengan teknik lithography. Tahapan pembuatan sensor gas
sebagai berikut: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/ SiO2 dengan etanol
dalam ultrasonic cleaner, kemudian
dilakukan deposisi elektroda source dan drain di atas substrat, deposisi
lapisan aktif diantara source/ drain dan diakhiri dengan deposisi gate. Hasil
karakterisasi I-V menunjukkan arus yang
mengalis dari drain menuju source (IDS)dipengaruhi oleh adanya perubahan
tegangan gate (VG). Tegangan VGsemakin besar maka IDS yang
dihasilkan semakin meningkat. Karakterisasi alat deteksi diperoleh bahwa daerah
aktif untuk VD adalah 2,79 V - 3,43 V dan arus ID 1,49 10-4
A - 1,49 10-4 A. Sedangkan daerah
saturasi FET pada tegangan VD dari 3,43
V - 9 V dan ini merupakan daerah cut off. Pengujian kelayakan alat deteksi
adalah menentukan: waktu tanggap (response time)dan waktu pemulihan(recovery
time ). Waktu tanggap sensor terhadap gas buang kendaraan bermotor,dan
COberturu:t-turut: 135 s. Sedangkan waktu pemulihan adalah 150 s.
Penulis: Sujarwata
Kode Jurnal: jpfisikadd150816
