Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD
Abstract: Pendeposisian
sejumlah film tipis Co:TiO2 telah selesai dilakukan. Film dideposisikan pada substrat
Si(100) tipe-n menggunakan teknik MOCVD. Konsentrasi doping Co bervariasi dari
0,1 % sampai dengan 1,1 %. Penelitian ini difokuskan pada efek doping Co pada
konstanta kisi film tipis polikristal TiO2. Hasil penelitian menunjukkan bahwa
pemberian doping Co pada film TiO2 menyebabkan penyusutan konstanta kisi film
tersebut.
Penulis: Aip Saripudin
Kode Jurnal: jpfisikadd150808
