Identifikasi Gugus SiHx (x=1,2 dan 3) pada Silikon Berpori dari Substrat Si (111) Tipe-P
Abstract: Telah dilakukan identifikasi gugus fungsional
SiHx (x = 1, 2, 3) pada silikon berpori Si (111) type p dengan menggunakan
spektrofotometer Fourier Transform Infared (FTIR). Sample dibuat dengan cara anodisasi wafer
silikon dalam larutan asam hidroflour (HF) dengan resistivitas substrat 0,3
ohm-cm. Pengaruh konsentrasi larutan HF dan waktu anodisasi terhadap gugus
fungsional permukaan silikon berpori kemudian dievaluasi. Konsentrasi larutan
HF divariasikan pada 10% , 20%,
30%,dan 40%, dan waktu anodisasi
divariasikan pada 10, 20, 40, dan 60 menit untuk tiap konsentrasi. Selama
proses anodisasi digunakan magnetik stirer untuk menjaga homogenitas larutan.
Hasil FTIR menunjukan gugus SiH
ditemukan pada daerah serapan 2112-2100 cm-1, 920-890 cm-1 dan 856 cm-1 untuk
semua konsentrasi HF. Sementara semakin lama waktu anodisasi semakin berkurang
gugus SiH yang terbentuk. Mekanisme ini dapat digunakan untuk mengontrol
pembentukan pori dalam wafer silikon.
Penulis: Anas M., I. N.
Sudiana, Jahiding M.
Kode Jurnal: jpfisikadd140903
