Limit Efek Stochastik untuk Thermally Assisted Magnetization Reversal
Abstract: Evaluasi limit
stochastik untuk thermally assisted magnetization reversal (TAMR) dibahas pada
paper ini. Simulasi ini dilakukan dengan menyelesaikan persamaan
Landau-Liftshitz-Gilbert (LLG) dengan asumsi nanopartikel CoPtCr magnetik
dengan anisotropi tegaklurus sebagai storage cell memory. Magnetisasi mulai
searah dengan medan eksternal sebesar H = 2,0 kOe, saat temperatur penulisan
sebesar TW = 95,2%TC dan meningkat terus hingga hingga 85% saat TW = 97,86%TC.
Sehingga keadaan ini (TW = 97.86%TC) dianggap sebagai batas limit stochastik
untuk TAMR pada penelitian ini. Akhirnya, peningkatan temperatur penulisan
99,97%TC hanya menaikkan prosentase MX searah medan eksternal H sebesar 10%.
Penulis: Hanin Firdausi
Kode Jurnal: jpfisikadd160105
