PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(S 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Abstrak: Penelitian ini
bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(S 0,2 Te 0,8 ) dengan teknik
evaporasi vakum untuk mempelajari karakter lapisan tipis Sn(S 0,2 Te 0,8 )
sebagai semikonduktor dengan karakterisasi struktur kristal, morfologi
permukaan, dan komposisi kimia. Preparasi dilakukan pada tekanan (5 x 10 -5 )
mbar dengan melakukan variasi temperatur substrat. Temperatur substrat
divariasi sebanyak 4 kali, yaitu 250ºC, 300ºC, 350ºC, dan 400ºC. Sampel
dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur
kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi
permukaan, dan EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) untuk mengetahui komposisi
kimia. Hasil menunjukkan bahwa keempat sampel memiliki struktur kristal kubik dengan
parameter kisi menggunakan metode analitik, sampel 1 (temperatur substrat
250ºC): a = b = c = 6,049 Å, sampel 2 (temperatur substrat 300 ° C): a = b = c
= 6,109 Å, sampel 3 (temperatur substrat 350ºC): a = b = c = 6,259 Å, sampel 4
(temperatur substrat 400ºC): a = b = c = 6,442 Å, sedangkan parameter kisi
dengan metode Le Bail, sampel 1 (temperatur substrat 250ºC): a = b = c = 6,281
Å, sampel 2 (temperatur substrat 300ºC): a = b = c = 6,317 Å, sampel 3
(temperatur substrat 350ºC): a = b = c = 6,327 Å, sampel 4 (temperatur substrat
400ºC): a = b = c = 6,327 Å. Variasi temperatur substrat menyebabkan perbedaan
kualitas kristal lapisan tipis tiap sampel, yang ditandai dengan adanya
perbedaan intensitas spektrum. Permukaan lapisan tipis homogen terdiri atas
butiran berukuran (~0,2) µm dan ketebalan lapisan tipis (~0,6) µm. Lapisan
tipis mengandung unsur Sn, S, dan Te dengan persentase komposisi kimia Sn =
52,31%, S = 0,88%, dan Te = 46,81%. Perbandingan molaritas Sn : S : Te adalah
1,04 : 0,02 : 0,94.
Penulis: Hilma Eka Masitoh
Kode Jurnal: jpfisikadd170074
