STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S o,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Abstrak: Penelitian ini
bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(S 0,4 Te 0,6 ) sebagai bahan
semikonduktor dengan teknik evaporasi vakum. Peneliti dapat mengetahui pengaruh
variasi spacer terhadap kualitas lapisan tipis dan juga mengetahui struktur
kristal, parameter kisi, morfologi permukaan, dan komposisi kimia lapisan
tipis. Proses preparasi lapisan tipis Sn(S 0,4 Te 0,6 ) dilakukan dengan
menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan sekitar ~10 -5
mbar dengan melakukan variasi jarak antara sumber dengan substrat atau variasi
spacer. Spacer divariasi sebanyak 3 kali, yaitu 10 cm, 15 cm, dan 25 cm.
Setelah didapatkan sampel lapisan tipis yang diinginkan, kemudian sampel
dikarakterisasi dengan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur
kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi
permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui
komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(S
0,4 Te 0,6 ) dari ketiga sampel memiliki struktur kristal kubik, dengan nilai
parameter kisi sampel 1 (spacer 10 cm): a = 6,011 Å; sampel 2 (spacer 15 cm): a
= 6,048 Å; sampel 3 (spacer 25 cm): a = 6,363 Å. Pemberian variasi spacer
menyebabkan perbedaan kualitas pada sampel 1, 2, dan 3 yang ditandai dengan adanya
perbedaan intensitas spektrum. Hasil karakterisasi SEM pada kristal Sn(S 0,4 Te
0,6 ) menunjukkan bahwa morfologi permukaan sampel berupa butiran/grain dengan
ukuran ~0,2 µm dan bersifat homogen. Hasil analisis EDAX lapisan tipis Sn(S 0,4
Te 0,6 ) mengandung unsur Sn = 54,54 %, S = 11,01 %, Te = 34,46 % dan
perbandingan molaritas Sn:S:Te adalah 1,00:0,20:0,63.
Penulis: Eka Wulandari dan Dr.
Ariswan
Kode Jurnal: jpfisikadd160377
