Sifat Listrik Kapasitor MOS dengan Oksida Strontium Titanat (SrTiO3)
Abstrak: Telah dilakukan
pengujian pada semikonduktor kapasitor metal oksida(MOS) dengan bahan oksida
Strontium Titanat (SrTiO 3 ) yang disintesis menggunakan metode chemical bath
deposition (CBD) dengan substrat silicon kristal. Oksida strontium titanat
adalah oksida yang memiliki nilai dielektrisitas yang tinggi. Hasil penelitian menunjukkan
bahwa deposisi lapisan oksida berada pada ketebalan 200 nm, dan didapatkan
kapasitansi terbesar 304 pF pada oksida dengan ketebalan 33,34 nm dan luas
substrat 0,7 cm 2.
Keyword: Capacitance, Metal
Oxide Semiconductor (MOS), Strontium Titanat (SrTiO 3 ), Dielectric Constanta
Penulis: Hadi Kurniawan
Kode Jurnal: jptlisetrodd150728
